-------<点击了解更多 + 购买>-------

本产品为1200V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），采用先进碳化硅材料工艺，具备优异的导热性与耐高温特性。其最大漏极电流ID可达63A，导通电阻RD(ON)低至32mΩ，确保在高功率密度场景下实现高效能表现。适用于高效电源转换系统、可再生能源设备及高频率开关电路，满足对效率与可靠性有高要求的电力电子应用需求，为复杂电路设计提供稳定支持。