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该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和15A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDON）低至260mΩ，有助于降低导通损耗。栅源电压范围为-5V至!6V，支持可靠的栅极驱动控制。基于碳化硅材料的特性，该器件具备优异的高频开关性能和高温工作稳定性，适用于高效率功率转换电路。典型应用包括高频开关电源、高功率密度电源适配器、光伏逆变模块及储能系统的功率级设计，满足对能效和紧凑布局要求较高的场景。
