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本产品为N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），采用宽禁带半导体技术，具备高耐压与低导通损耗特性。其漏极电流（ID）为36A，漏源电压（VDSS）高达1200V，导通电阻（RDON）为80mΩ，适用于高功率密度和高效能电源系统。该器件具有优异的开关性能与热稳定性，支持高频、高压工作环境，可广泛应用于新能源发电、智能电力调控、精密电源管理及高可靠性电子设备中，满足复杂应用场景下的性能与稳定性需求。
