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该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和24A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）典型值为110mΩ，有助于降低导通损耗。栅源电压范围为-4V至!8V，支持可靠的栅极驱动控制。基于碳化硅材料特性，器件具备优异的高频开关能力、高温稳定性及较低的反向恢复电荷。适用于高效率、高功率密度的电源系统，如大功率开关电源、光伏逆变装置、储能系统中的功率转换模块，以及对热性能和空间布局要求较高的紧凑型电力电子设备。
