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该N沟道碳化硅MOSFET具备650V的漏源击穿电压（VDSS）和15A的额定漏极电流（ID），导通电阻（RDON）低至260mΩ，可有效减少导通损耗。栅源电压范围为-5V至!6V，支持稳定可靠的栅极驱动控制。基于碳化硅材料的特性，器件具有优异的耐高温性能和快速开关能力，适用于高频率、高效率的电力转换电路。典型应用场景包括高效开关电源、不间断电源、可再生能源发电系统中的功率变换模块，有助于提升系统功率密度与能效水平。
