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该N沟道碳化硅MOSFET额定漏源电压为650V，连续漏极电流达15A，导通电阻为260mΩ，有助于降低导通损耗并提升系统效率。栅源电压范围-5V至!6V，支持稳定的栅极驱动与器件控制。基于碳化硅材料的特性，该器件具备优异的高温工作能力、高频开关性能及抗热失效特性，适用于高功率密度电源系统。典型应用场景包括高效开关电源、不间断电源（UPS）、可再生能源逆变装置、高密度电源适配器以及储能系统的功率转换电路。