IV2D12002P2_TO-252N-2L_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)

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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-252N-2L
类别: 碳化硅二极管
最小包装: 2500/圆盘
参数1: IF:2A
参数2: VR:1200V
参数3: VF:1.36V
参数4: 二极管配置:独立式
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该碳化硅二极管为独立式配置,额定正向电流(IF)为2A,反向重复峰值电压(VR)达1200V,适用于高电压工作环境。其正向压降(VF)为1.36V,在同类器件中表现优异,有助于降低导通损耗,提高能量转换效率。基于碳化硅材料的特性,该二极管具备快速开关能力与极低的反向恢复电荷,可有效减少开关损耗。适用于高电压直流电源、高效能AC-DC转换器、不间断电源系统及高频率功率因数校正电路,满足对小型化与高可靠性要求较高的应用场景。

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