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该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为650V，连续漏极电流（ID）达6.8A，导通电阻（RDON）为460mΩ，有助于降低导通损耗，提高系统效率。栅源电压范围（VGS）为-4V至!8V，具备良好的驱动兼容性与稳定性。基于碳化硅材料的特性，器件支持高频开关操作，具有优异的热性能和可靠性。适用于高效率开关电源、太阳能逆变装置、储能系统中的功率转换模块以及高密度电源适配器等应用，尤其适合对散热设计和空间布局有较高要求的电力电子设备。
