-------<点击了解更多 + 购买>-------

该N沟道碳化硅场效应管具有650V的漏源电压（VDSS）和6.8A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至460mΩ，有助于降低导通损耗，提升系统效率。栅源电压范围为-4V至!8V，具备良好的栅极控制稳定性。采用宽禁带半导体材料碳化硅，可支持高频、高温及高压工作环境，适用于高效率开关电源、DC-DC转换器、光伏逆变系统及高密度功率模块等场景，其优异的开关特性有助于减小无源器件体积，提高整体功率密度。