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该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和15A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDS(on)）典型值为260mΩ，有助于减少导通损耗，提升系统能效。栅源电压范围为-5V至!6V，支持稳定可靠的栅极驱动控制。基于碳化硅材料的器件具备优异的高频开关性能和高温工作能力，适用于高效率电源转换系统，如大功率开关电源、光伏逆变装置、储能系统中的直流变换模块以及对功率密度和热管理有较高要求的电力电子设备。
