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该P沟道场效应管具备35A的漏极电流（ID）和-30V的漏源电压（VDSS），适用于中等功率的直流开关与控制电路。其导通电阻（RDON）为13mΩ，在20V栅源电压（VGS）驱动下可实现较低的导通损耗，有助于提高电源转换效率。P沟道结构使其在高边开关和电池供电系统中具备应用优势，常用于电源反接保护、多路电源切换及负载开关设计，适合集成于便携式电子设备、通信模块及嵌入式主板的功率管理单元中。
