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该N沟道场效应管具有60V漏源电压（VDSS）、20A连续漏极电流（ID）和低至24mΩ的导通电阻（RDS(on)），支持最高20V栅源电压（VGS）。器件采用先进沟槽技术，具备优异的导通性能与开关响应，可有效降低功率损耗。适用于中低压直流电源转换、高效率同步整流、便携式设备电源管理模块以及大电流开关电路。其低栅极电荷与良好热稳定性有助于提升系统能效，适合在紧凑型高密度电子设备中实现可靠的功率控制与能量传输。
