MJD127_TO-252-2L_三极管(BJT)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-252-2L
类别: 三极管(BJT)
最小包装: 2500/圆盘
参数1: IC:8A
参数2: VCEO:100V
参数3: TYPE:PNP
参数4: HFE:1K-12K
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该PNP型三极管额定集电极电流(IC)为8A,集射极击穿电压(VCEO)达100V,具备较强的电流承载能力。直流电流增益(HFE)范围为1000至12000,属于高增益类型,可在微弱基极电流下实现高效电流控制,适用于精密开关与信号放大电路。器件采用大电流设计,热稳定性较好,适合在电源调节模块、继电器驱动、电机控制及高增益放大电路中使用。其高HFE特性有助于简化前级驱动设计,提升系统响应精度,满足多种中功率模拟与数字应用需求。

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