HXY50N04D_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-252-2L
类别: 场效应管(MOSFET)
最小包装: 2500/圆盘
参数1: ID:50A
参数2: VDSS:40V
参数3: RDON:11mR
参数4: VGS:20V
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该N沟道场效应管具有40V的漏源电压(VDSS)和20V的栅源电压(VGS)能力,适合中等电压功率应用。其连续漏极电流可达50A,导通电阻低至11mΩ,在高电流工作条件下可有效降低导通损耗,提升系统效率。器件采用先进工艺制造,具备良好的热稳定性和开关特性,适用于电源转换、电机驱动及同步整流等电路,是高性能功率开关设计的理想选择之一。

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