-------<点击了解更多 + 购买>-------

该NN沟道场效应管采用双MOSFET设计，单管漏极连续电流ID达33A，漏源电压VDSS为40V，栅源电压范围±20V，导通电阻低至14mΩ。低RDON值有效减少导通损耗，提升系统效率。双N沟道结构适用于大电流开关应用，提供优异的开关速度与功率控制能力，适合多相电源管理、高密度DC-DC转换及高性能负载开关等场景，满足对小型化与高效率有要求的电路设计需求。