HESDNC12VB1AF-B_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: DFN1006-2L
类别: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
最小包装: 10000/圆盘
参数1: IPP:5A
参数2: VRWM:12V
参数3: CJ:10pF
参数4: LINE:1-channel
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该器件为单通道双向静电与浪涌保护二极管,适用于各类电子设备中的瞬态电压抑制。其反向工作电压(VRWM)为12V,可承受5A的峰值脉冲电流(IPP),具备良好的瞬态能量吸收能力。结电容为10pF,适合用于中低速信号线路的保护,双向(Bi-directional)结构可有效抑制正负双向瞬态电压,常用于接口电路、电源端口及数据传输线路的过压防护,满足IEC61000-4-2等电磁兼容标准要求,提升系统运行稳定性。

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