-------<点击了解更多 + 购买>-------
该N沟道场效应管具有650V的漏源电压（VDSS）和30V的栅源电压（VGS）能力，可承载1A的连续漏极电流（ID）。其导通电阻（RDSON）为9.5Ω，在同类高耐压器件中具备合理的导通性能。适用于高压小电流开关应用，如电源待机电路、高压信号切换、小型化适配器及电池供电系统的电压控制模块。凭借高击穿电压特性，可用于隔离控制与直流负载驱动，满足对安全性和空间布局有要求的低功耗功率管理场景。
