-------<点击了解更多 + 购买>-------
该MOSFET为N沟道与P沟道组合的功率器件，单管N沟道部分可承受20V漏源电压（VDSS）和12V栅源电压（VGS），连续漏极电流（ID）达5A，N沟道导通电阻（RDSON）低至25mΩ。双沟道结构便于构建对称功率控制电路，适用于双向开关、H桥驱动及电源切换模块。其较低的导通损耗有助于提升能效，适合集成于便携式设备、电池供电系统及高密度电源管理单元中。器件在中等功率开关应用中具备良好的热稳定性与响应特性。
