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这款N沟道场效应管（MOSFET）具有5.8A的连续电流能力，能够承受最高30V的漏源电压（VDSS）。其导通电阻（RDSON）为28毫欧，在导通状态下可以有效地降低功耗，减少能量损失。栅源电压（VGS）的最大值为12V，适合用于各种需要精确控制电流的场合。该MOSFET适用于消费电子领域，例如在适配器和充电器中的开关应用，或是作为电子设备内部的信号级驱动元件。