HXY4N150MI_SOT-23-3L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: SOT-23-3L
类别: 场效应管(MOSFET)
最小包装: 3000/圆盘
参数1: ID:4A
参数2: VDSS:150V
参数3: RDON:18mR
参数4: VGS:20V
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该N沟道场效应管具有150V漏源耐压,连续漏极电流为4A,导通电阻低至18mΩ,适用于在20V栅源电压下工作的功率开关电路。高耐压与低导通损耗特性使其适合用于直流电机驱动、开关电源及逆变器中的功率转换级。器件具备快速开关响应能力,可有效提升系统能效,适用于对功率密度和热性能有要求的电路设计。典型应用包括电池供电设备的主控开关、LED驱动电路及中等功率电源模块中的同步整流单元。

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