HESDHC3V3U2I-A_SOT-23_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: SOT-23
类别: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
最小包装: 3000/圆盘
参数1: IPP:11A
参数2: VRWM:3.3V
参数3: CJ:100pF
参数4: LINE:2-channel
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该器件是一款双通道单向TVS二极管阵列,专为高速数据线路的静电与浪涌防护设计。其反向工作电压(VRWM)为3.3V,满足低电压接口的保护需求;11A的峰值脉冲电流(IPP)能力可有效吸收瞬态能量。结电容典型值为100pF,有助于维持信号完整性。单向保护结构适用于直流或单极性信号线路,为敏感电子元件提供可靠的过压防护,广泛用于通信接口、便携设备及外围连接端口的电路保护设计中。

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