HESDUC5VB1AF-C_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: DFN1006-2L
类别: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
最小包装: 10000/圆盘
参数1: IPP:4A
参数2: VRWM:5V
参数3: CJ:0.5pF
参数4: LINE:1-channel
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该单通道双向TVS二极管具有5V的反向工作电压(VRWM)和4A的峰值脉冲电流(IPP)承受能力,结电容低至0.5pF,适合高速信号线路的瞬态电压防护。双向结构可有效抑制正负极性浪涌脉冲,快速响应并泄放静电放电(ESD)及电快速瞬变能量。器件适用于对信号完整性要求较高的便携式设备与通信接口电路,能为敏感电子元件提供可靠保护,常用于数据传输线、音频接口及高密度电子系统中的过压防护设计。

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