HESDNC5VB1AF-E_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: DFN1006-2L
类别: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
最小包装: 10000/圆盘
参数1: IPP:20A
参数2: VRWM:5V
参数3: CJ:40pF
参数4: LINE:1-channel
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该TVS二极管为单通道双向器件,专用于电子设备中敏感电路的瞬态电压抑制。反向工作电压(VRWM)为5V,可兼容常见5V供电系统,20A的峰值脉冲电流(IPP)能力确保其能有效泄放突发性浪涌能量。结电容为40pF,适用于对信号完整性有一定要求的中低速数据线路。双向(Bi)结构可同时抑制正负极性瞬态干扰,适用于USB、音频接口、通信端口等易受静电影响的场景,提供可靠的过压保护。

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