-------<点击了解更多 + 购买>-------
该场效应管为P沟道MOSFET，具有20V的漏源击穿电压（VDSS）和10V的最大栅源电压（VGS），可持续承载0.7A的漏极电流（ID），导通电阻（RDON）为450mΩ。P沟道结构使其在高边开关及电池供电电路中具备简化驱动的优势。器件适用于低电压、小功率的开关应用，如便携式设备中的电源管理、负载开关、逆变保护电路以及各类低功耗DC-DC转换模块，能够在较小电流条件下实现高效的电流通断控制与功率分配功能。
