HESDNC5VB1AF-C_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
  • 企业联系方式
品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: DFN1006-2L
类别: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
最小包装: 10000/圆盘
参数1: IPP:45A
参数2: VRWM:5V
参数3: CJ:15pF
参数4: LINE:1-channel
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该器件为单通道双向静电与浪涌保护器件,适用于对称信号线路或可能存在双向过压的电路环境。其反向工作电压(VRWM)为5V,具备45A的高峰值脉冲电流(IPP)承受能力,结电容(Cj)低至15pF,确保信号传输的完整性。双向结构可有效抑制正负方向的瞬态过压事件,符合IEC61000-4-2和IEC61000-4-5防护标准。典型应用于高速数据接口、通信端口及便携式电子设备的电源或信号线路,用于防护静电放电、感应雷击等瞬态干扰,保护敏感集成电路免受损坏,维持系统稳定运行。

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