HESDUC3V3B1AF-A_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
  • 企业联系方式
品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: DFN1006-2L
类别: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
最小包装: 10000/圆盘
参数1: IPP:4A
参数2: VRWM:3.3V
参数3: CJ:0.3pF
参数4: LINE:1-channel
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

-------<点击了解更多 + 购买>-------

该器件是一款单通道双向静电保护二极管,专为高速信号线路设计。其反向工作电压(VRWM)为3.3V,具备0.3pF的低结电容,可有效减少信号衰减,适用于高速数据传输场景。器件能承受4A的峰值脉冲电流(IPP),在瞬态电压事件中提供可靠保护。双向结构使其适用于交流信号线路,能够对正负向的过压事件进行钳位,广泛用于通信接口、便携式电子设备及敏感信号线路的ESD防护。

Baidu
map