HESDUC5VU1AF-A_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: DFN1006-2L
类别: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
最小包装: 10000/圆盘
参数1: IPP:4A
参数2: VRWM:5V
参数3: CJ:0.6pF
参数4: LINE:1-channel
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该器件为单通道单向静电与浪涌保护二极管,具备4A峰值脉冲电流承受能力,可有效泄放瞬态能量。其反向工作电压为5V,适用于低电压信号线路的过压防护。典型结电容为0.6pF,对高速信号传输影响较小,适合用于数据速率较高的接口。单向结构使其在正向过压事件中快速响应,钳位电压较低,能有效限制瞬态电压幅度。正常工作时呈现高阻态,不影响电路功能。典型应用场景包括高速数据端口、电源管理线路及便携式电子设备中的敏感电路保护设计。

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