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该N沟道场效应管具有60V的漏源耐压（VDSS），可适用于中等电压开关应用。其连续漏极电流（ID）为0.34A，导通电阻（RDON）为1300mΩ，在同类器件中具备良好的导通特性，有助于降低功率损耗。栅源额定电压（VGS）为±20V，提供一定的驱动电压裕度，确保可靠控制。该器件适用于电池供电设备、小型电源转换电路及信号开关系统，常用于DC-DC变换器、负载开关和低功耗驱动电路中，实现高效的电能控制与管理。
