HESDNC7VB1AF-C_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: DFN1006-2L
类别: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
最小包装: 10000/圆盘
参数1: IPP:8A
参数2: VRWM:7V
参数3: CJ:20pF
参数4: LINE:1-channel
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该器件为单通道双向ESD保护二极管,专为敏感电子线路设计。其反向工作电压(VRWM)为7V,能够有效保护工作在此电压范围内的信号线。具备20pF的低结电容,可减少对高速信号传输的干扰,适用于数据线保护。在8A的峰值脉冲电流(IPP)下仍能可靠工作,提供稳定的浪涌防护能力。双向结构可同时抑制正负极性瞬态电压,常用于接口电路的静电放电防护,确保系统稳定运行。

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