HESDNC3V3B1AF-B_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: DFN1006-2L
类别: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
最小包装: 10000/圆盘
参数1: IPP:7A
参数2: VRWM:3.3V
参数3: CJ:10pF
参数4: LINE:1-channel
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该器件为单通道双向TVS二极管,专为低电压信号线路的瞬态防护设计。反向工作电压为3.3V,峰值脉冲电流可达7A,具备优异的浪涌吸收能力。结电容典型值低至10pF,适用于高速数据接口,可有效抑制信号失真。双向结构可同时应对正负向瞬态过压事件,响应速度快,钳位电压低,提供可靠的过压保护。适用于便携式设备、消费类电子产品中的USB、HDMI等高速数据端口及低电压电源线路的静电和浪涌防护。

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