HESDUC5VB1AF-D_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: DFN1006-2L
类别: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
最小包装: 10000/圆盘
参数1: IPP:3A
参数2: VRWM:5V
参数3: CJ:0.38pF
参数4: LINE:1-channel
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该器件为单通道双向静电与浪涌保护二极管,具备3A的峰值脉冲电流承受能力,可有效抑制瞬态过电压。其反向工作电压为5V,结电容低至0.38pF,适用于高速信号线路,能减少信号衰减与失真。双向结构设计使其可应对正负双向的瞬态干扰,适用于便携式电子设备、通信接口及敏感电路的防护,为高频、低电压线路提供可靠的过压保护方案。

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