HESDUC3V3B1AF-B_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: DFN1006-2L
类别: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
最小包装: 10000/圆盘
参数1: IPP:4A
参数2: VRWM:3.3V
参数3: CJ:0.25pF
参数4: LINE:1-channel
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该器件为单通道双向TVS二极管,反向工作电压(VRWM)为3.3V,适用于低电压信号线路的瞬态防护。具备4A的峰值脉冲电流(IPP)和极低的结电容(Cj=0.25pF),在抑制静电放电和浪涌干扰的同时,对高速信号完整性影响极小。双向击穿特性可有效钳制正负极性瞬变电压,常用于保护敏感模拟或数字接口,如通信模块、便携设备的数据端口及高频信号线,防止因瞬态过压导致的功能异常或器件损伤。

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