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该氮化镓晶体管为N沟道增强型高电子迁移率晶体管（HEMT），具备650V的漏源击穿电压（VDSS），可持续通过10A漏极电流（ID），导通电阻（RDON）低至160mΩ。得益于氮化镓材料的高开关速度与低导通损耗特性，该器件适用于高效率、高频率的电源转换系统。典型应用场景包括高性能AC-DC与DC-DC功率变换器、服务器电源模块、可再生能源发电中的逆变装置，以及对功率密度和热性能要求严苛的紧凑型电源设计，有助于提升系统整体能效并减小体积。
