HESDHC18VU2RF-A_DFN2X2-3L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: DFN2X2-3L
类别: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
最小包装: 3000/圆盘
参数1: IPP:140A
参数2: VRWM:18V
参数3: CJ:900pF
参数4: LINE:2-channel
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该静电和浪涌保护器件为单向双通道设计,工作反向电压为18V,适用于保护工作电压相近的敏感电路。其峰值脉冲电流可达140A(8/20μs波形),具备较强的瞬态能量吸收能力,可有效抑制ESD及浪涌冲击。结电容典型值为900pF,适用于对信号完整性要求不极端严苛的中低速接口。器件集成两个独立保护通道,常用于数据线、通信端口及外设接口的过压防护,为电路提供可靠的双向瞬态电压抑制与接地泄放路径,保障后续元件安全运行。

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