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该N沟道碳化硅场效应管具备1700V的漏源击穿电压（VDSS），可承受高电压应力，适用于高压功率转换场合。其导通电阻（RDON）低至45mΩ，有助于降低导通损耗，提高系统效率。在25℃环境温度下，连续漏极电流（ID）可达72A，支持较大功率负载。栅源电压范围为±20V，具备良好的驱动兼容性。得益于碳化硅材料特性，该器件适用于高频、高温及高效率要求的电源系统，如可再生能源逆变装置、高压直流变换与高性能电力传输设备中的开关单元。
