HXY11N40P_TO-220C_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-220C
类别: 场效应管(MOSFET)
最小包装: 50/管装
参数1: ID:11A
参数2: VDSS:400V
参数3: RDON:360mR
参数4: VGS:30V
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该N沟道场效应管具备400V漏源耐压(VDSS)和30V栅源电压范围(VGS),持续漏极电流可达11A,导通电阻低至360mΩ,有助于减少导通损耗并提升系统效率。器件在高频率开关条件下表现出良好的稳定性,适用于中高功率电源管理系统。常见于开关电源、逆变电路、LED驱动电源及电池供电设备的功率转换模块,作为核心开关元件实现高效的电能变换与控制,满足对热性能和电气可靠性要求较高的设计需求。

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