HESDHC4V5B1HF-A_DFN1610-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: DFN1610-2L
类别: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
最小包装: 3000/圆盘
参数1: IPP:160A
参数2: VRWM:4.5V
参数3: CJ:300pF
参数4: LINE:1-channel
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该静电和浪涌保护器件为单通道双向设计,工作反向关态电压为4.5V,适用于低电压信号线路的防护。其结电容典型值为300pF,对信号完整性影响较小,适合传输速率较高的接口。峰值脉冲电流可达160A(8/20μs波形),具备较强的瞬态能量吸收能力。双向结构可同时抑制正负极性瞬变,有效抑制静电放电(ESD)及电快速瞬变脉冲群。常用于数据通信端口、便携设备接口及敏感电子电路中,提供可靠的过压保护与系统稳定性。

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