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该N沟道碳化硅场效应管具有650V的漏源击穿电压，额定漏极电流为97A，导通电阻为30毫欧。基于碳化硅半导体材料，器件具备优良的开关特性与热导性能，支持高频工作，同时降低开关与导通损耗。其结构设计有助于减少寄生参数，提升功率效率。适用于中高功率电源系统，如大功率开关电源、高压直流转换模块、储能系统中的逆变与整流电路，以及对能效和功率密度要求较高的电力电子装置，有助于优化系统整体性能。