HESDNC3VU2I-B_SOT-23_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
  • 企业联系方式
品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: SOT-23
类别: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
最小包装: 3000/圆盘
参数1: IPP:2.76A
参数2: VRWM:3V
参数3: LINE:2-channel
参数4: TYPE:Uni
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该静电与浪涌保护器件为双通道单向设计,适用于多线路信号保护。其反向工作电压(VRWM)为3V,适用于低电压工作环境,最大通流能力(IPP)为2.76A,可有效吸收瞬态能量。双通道结构集成两个独立的单向TVS单元,能分别对两条信号线提供定向过压保护,防止静电放电(ESD)和电性快速瞬时(EFT)等干扰。器件响应速度快,钳位电压低,常用于便携式电子产品中的数据接口、音频线路或传感器信号路径的防护,确保低电压敏感电路在复杂电磁环境下的正常运行。

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