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该N沟道碳化硅场效应管额定漏源电压（VDSS）为1200V，连续漏极电流达18A，导通电阻（RDS(on)）为160mΩ，在20V栅源电压下可充分导通。基于碳化硅半导体材料，具备优异的高温工作能力与高压阻断特性，支持高频开关操作。适用于高效率功率因数校正电路、高压直流变换模块、可再生能源发电逆变装置及大功率开关电源，能有效降低导通与开关损耗，提升系统整体能效，尤其适合对热管理与电气稳定性要求较高的紧凑型电力电子设备。
