HXYT50N65MP_TO-247_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-247
类别: IGBT管/模块
最小包装: 30/管装
参数1: 集电极电流(Ic):50A
参数2: 集射极击穿电压(Vces):650V
参数3: 集射极饱和电压(VCE(sat)):1.6V
参数4: 二极管正向电流(IF):50A
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该IGBT模块额定集电极电流为50A,集射极击穿电压为650V,适用于中高压功率转换应用。其集射极饱和电压为1.6V,在高负载条件下具备较低的导通损耗,有利于提高系统整体效率。模块集成反并联二极管,可承受50A正向电流,二极管正向压降为1.85V,支持高效续流操作。器件具有良好的热稳定性和开关特性,适用于大功率开关电源、不间断电源系统、可再生能源逆变装置及大电流驱动电路,能够满足高频开关与高功率密度设计需求,适用于对效率与可靠性要求较高的电力电子拓扑结构。

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