HXYT75N120MPI_TO-247P-4L_IGBT管/模块_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-247P-4L
类别: IGBT管/模块
最小包装: 30/管装
参数1: 集电极电流(Ic):75A
参数2: 集射极击穿电压(Vces):1200V
参数3: 集射极饱和电压(VCE(sat)):1.91V
参数4: 二极管正向电流(IF):75A
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该IGBT模块额定集电极电流为75A,集射极击穿电压达1200V,适用于高电压开关应用。其集射极饱和电压为1.91V,内置反并联二极管具备75A正向电流能力,正向压降为1.8V,可有效支持续流与能量回馈。器件在高耐压条件下具备稳定的电流切换性能,适用于高压逆变、直流电源转换及大功率电力调节系统,能够满足对电压安全裕度和长期运行可靠性要求较高的电路设计需求。

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