HESDUC3V3U1AF-A_DFN1006-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: DFN1006-2L
类别: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
最小包装: 10000/圆盘
参数1: IPP:4A
参数2: VRWM:3.3V
参数3: CJ:0.4pF
参数4: LINE:1-channel
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该单向TVS二极管具有3.3V的反向工作电压(VRWM),可承受4A的峰值脉冲电流(IPP),结电容低至0.4pF,适用于单通道信号线路保护。其超低结电容特性对高频信号传输影响极小,能有效抑制静电放电及瞬态电压冲击,同时避免信号失真。常用于高速数据接口、射频电路、便携式电子设备的敏感信号线防护,适用于对信号完整性和响应速度要求较高的应用场景,确保低电压工作电路在复杂电磁环境下的持续稳定运行。

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