HXYS49N65MP_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-247
类别: 碳化硅场效应管(MOSFET)
最小包装: 30/管装
参数1: ID:49A
参数2: VDSS:650V
参数3: RDON:33mR
参数4: TYPE:N-ch
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该N沟道碳化硅场效应管具有650V的漏源击穿电压,连续漏极电流可达49A,导通电阻低至33mΩ,适用于高效率功率转换设计。基于碳化硅材料特性,器件具备优异的开关性能与高温工作能力,可有效降低系统能量损耗。广泛用于高密度电源、可再生能源逆变装置及高性能电力变换设备中,适合对热管理与电气性能有严苛要求的应用场景。

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