HXYS29N65MP_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-247
类别: 碳化硅场效应管(MOSFET)
最小包装: 30/管装
参数1: ID:29A
参数2: VDSS:650V
参数3: RDON:60mR
参数4: VGS:15V
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该N沟道碳化硅场效应管具有650V漏源电压额定值,连续漏极电流为29A,导通电阻为60mΩ,在15V栅源电压下可实现稳定驱动。依托碳化硅材料优势,器件具备低开关损耗与优异的高温工作性能,适用于高频、高效率的电力转换电路。典型应用涵盖通信电源、服务器电源模块、光伏逆变单元及高功率密度DC-DC变换器,适合对热管理、能效和系统可靠性有较高要求的电力电子设计场景。

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