HESDHC3V3U2I-C_SOT-23_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: SOT-23
类别: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
最小包装: 3000/圆盘
参数1: IPP:18A
参数2: VRWM:3.3V
参数3: CJ:200pF
参数4: LINE:2-channel
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该TVS二极管阵列为双通道单向设计,适用于直流供电或单极性信号线路的过压防护。反向工作电压(VRWM)为3.3V,适合低电压工作环境;18A的峰值脉冲电流(IPP)能力可有效泄放瞬态能量。结电容典型值为200pF,适用于对电容要求不苛刻的中低速信号接口。器件通过快速箝位过电压,保护后续电路免受静电放电和浪涌冲击损害,常用于数据通信端口、外设连接器及消费类电子设备内部敏感电路的可靠性防护设计。

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