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该氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）采用N沟道结构，具备650V的漏源击穿电压（VDSS）和10A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）为160mΩ。基于氮化镓材料特性，器件具有更高的开关频率与更低的导通损耗，适用于高功率密度电源设计。其快速开关响应和优异的热性能，使其广泛应用于高效开关电源、高密度适配器、无线充电发射端电路以及服务器级电源模块等对效率与体积要求严苛的先进电子系统中。
