HESDUC3V3B1GF-B_DFN0603-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: DFN0603-2L
类别: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
最小包装: 15000/圆盘
参数1: IPP:4A
参数2: VRWM:3.3V
参数3: CJ:0.55pF
参数4: LINE:1-channel
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该ESD保护二极管为单通道双向结构,反向工作电压(VRWM)为3.3V,适用于低电压信号线路的瞬态电压防护。其结电容为0.55pF,能够在多数高速信号接口中保持良好的信号完整性。器件可承受4A的峰值脉冲电流(IPP),具备较强的瞬态能量吸收能力,能有效抑制静电放电和浪涌事件。双向(Bi)设计使其可对正负极性过压提供对称钳位保护,常用于消费类电子设备中的数据线、触摸屏信号线及音频接口等敏感电路的过压防护。

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