HXY4N50P_TO-220C_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: TO-220C
类别: 场效应管(MOSFET)
最小包装: 50/管装
参数1: ID:4.5A
参数2: VDSS:500V
参数3: RDON:1200mR
参数4: VGS:30V
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该N沟道场效应管具有500V的漏源击穿电压(VDSS)和30V的栅源电压(VGS),持续漏极电流为4.5A,导通电阻为1200mΩ。较高的电压耐受能力使其适用于高压开关场景,能够稳定工作在较高的直流电压环境下。器件在电源管理电路中常用于实现高效的开关控制,典型应用包括开关模式电源、DC-AC逆变器、LED照明驱动电源以及高电压降压转换电路,适合对电气隔离与工作稳定性有一定要求的中功率电子系统设计。

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