HESDUC3V3B1GF-A_DFN0603-2L_静电和浪涌保护(TVS/ESD)_HXY MOSFET(华轩阳电子)

  • 产品参数
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品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
封装: DFN0603-2L
类别: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
最小包装: 10000/圆盘
参数1: IPP:8A
参数2: VRWM:3.3V
参数3: CJ:0.35pF
参数4: LINE:1-channel
标价: 欢迎咨询
服 务 商: 深圳市华轩阳电子有限公司
会员等级: 会员
联 系 人: 张婉仪
联系电话: 189 2937 3249
联系地址: 深圳市福田区中航路7-1号鼎诚国际大厦南座2013
产品介绍

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该TVS二极管为单通道双向设计,反向工作电压(VRWM)为3.3V,适用于低电压信号线路的过压防护。其结电容低至0.35pF,可最大限度减少对高速信号完整性的影响,确保数据传输稳定性。器件能承受8A的峰值脉冲电流(IPP),具备优异的瞬态浪涌吸收能力。双向(Bi)结构可对正负极性瞬态电压提供对称保护,适用于USB接口、音频线路、传感器信号线等对ESD敏感的便携式电子设备电路保护。

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